摘要：本发明公开了一种高性能薄膜电阻及其制造方法，包括绝缘基板，在绝缘基板上设有电阻薄膜，在每个电阻薄膜的两侧设有引出电极，在每个电阻薄膜两侧边缘的顶面设有顶部电极，在电阻薄膜的顶面及顶部电极的顶面上设有绝缘保护膜。本发明采用掩膜工艺与沉积法结合的方式来制备薄膜电阻，该方法所易于产业化，所获得的产品各层之间的附着力强、质量好；还采用了化学稳定性好的金属来作为薄膜电阻的材料，以提高电阻材料的耐腐蚀性及热稳定性，使其可以在如高频、高温、高压、低温和太空等恶劣环境下使用，能被应用在众多的高科技领域，扩展了其适用范围。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人邓朝勇;雷远清;崔瑞瑞;张荣芬;
- 地址550003 贵州省贵阳市蔡家关贵州大学科技处
- 申请号CN201110172418.7
- 申请时间2011年06月24日
- 申请公布号CN102314978A
- 申请公布『时间2012年01月11日
- 分类号H01C7/00(2006.01)I;H01C1/00(2006.01)I;H01C1/14(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I;H01C17/075(2006.01)I;
