摘要：半导体发光器件寿命加速试验装置，属于半导体发光器件和应用产品的测试领域。现有技←术存在操作复杂、测量结果不准确的缺陷，本实用新型包括温控箱、设于温控箱内的试验样品支承座以及光传输器，所述光传输器的一端为采集端，采集端与支承座配合设置，所述的光传输器的另一端为测量端，该测量端与测光仪相连，通过设置光传输器使得在实验升温工程中可直接用测光仪测得试验样品的☆光功率或光通量，避免了反复取放、升降温过程带来的测量误差，操作方便。
- 专利类型实用新型
- 申请人杭州浙大三色仪器有限公司;
- 发明人牟同升;
- 地址310013浙江省杭州市西溪路525号浙大科技园西区A座225室
- 申请号CN200720107239.4
- 申请时间2007年03月13日
- 申请公布号CN201017022Y
- 申请公布时间2008年02月06日
- 分类号G01R31/26(2006.01);
