幸运快三

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                教育装备采购网【首页 > 知识产权 > 专利 > CN1980791B
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                苝n-型半导体和相关器件
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：用吸电子基团进行N-取代和母核取代的单-和二酰亚胺苝和萘化合物，用于制造多种器件结构。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型PCT发明
                  • 
                        
                • 申请人西北大学;
                  • 
                        
                • 发明人T·J·马克斯;M·R·瓦谢莱夫斯基;A·法切蒂;M·J·阿伦斯;B·A·琼斯;尹明汉;
                  • 
                        
                • 地址美国伊利诺▆伊州
                  • 
                        
                • 申请号CN200580003181.2
                  • 
                        
                • 申请时间2005年01月26日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN1980791B
                  • 
                        
                • 申请公布时间2012年08月22日
                  • 
                        
                • 分类号B32B9/00(2006.01)I;H01J1/62(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;B05D5/06(2006.01)I;
                  •