摘要：本发明公开了一种纳米氢氧化钴?石墨烯复合膜、其制备方法及应用。所述复合膜，包括纳米石墨◎烯底层和纳米氢氧化钴表层，所述纳米石墨烯底层厚度在4000nm至6000nm之间，所述纳米氢氧化钴表层厚度在50nm至100nm之间，所述〗纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所述纳米石墨烯底层上。其制备方法，包括以下步骤：将氧化石墨烯均匀分散于水中，涂敷在片状导电◣基底上，干燥得到纳米氧化石墨烯膜；组建三电极体系采用循环伏安法将氢氧化钴沉积在纳◤米石墨烯膜表面，干燥。本发明所提供的方法操作简单、环境友好等优点。本发明提供的复合薄膜应用于纳米电化学传感器领域时可显著提高特定物ㄨ质的检测限和检测灵敏度，应用前景十分广阔。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;深圳华中科技大学研究院;
- 发明人刘宏芳;董爽;肖菲;秦双;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201410266770.0
- 申请时间2014年06月16日
- 申请公◎布号CN104191702B
- 申请公布时间2016年08月31日
- 分类号B32B9/00(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I;G01N27/333(2006.01)I;
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