幸运快三

  • <tr id='5hwbNz'><strong id='5hwbNz'></strong><small id='5hwbNz'></small><button id='5hwbNz'></button><li id='5hwbNz'><noscript id='5hwbNz'><big id='5hwbNz'></big><dt id='5hwbNz'></dt></noscript></li></tr><ol id='5hwbNz'><option id='5hwbNz'><table id='5hwbNz'><blockquote id='5hwbNz'><tbody id='5hwbNz'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='5hwbNz'></u><kbd id='5hwbNz'><kbd id='5hwbNz'></kbd></kbd>
    <code id='5hwbNz'><strong id='5hwbNz'></strong></code>
    <fieldset id='5hwbNz'></fieldset>
          <span id='5hwbNz'></span>
              <ins id='5hwbNz'></ins>
              <acronym id='5hwbNz'><em id='5hwbNz'></em><td id='5hwbNz'><div id='5hwbNz'></div></td></acronym><address id='5hwbNz'><big id='5hwbNz'><big id='5hwbNz'></big><legend id='5hwbNz'></legend></big></address>
              <i id='5hwbNz'><div id='5hwbNz'><ins id='5hwbNz'></ins></div></i>
              <i id='5hwbNz'></i>
              2. <dl id='5hwbNz'></dl>
                3. <blockquote id='5hwbNz'><q id='5hwbNz'><noscript id='5hwbNz'></noscript><dt id='5hwbNz'></dt></q></blockquote><noframes id='5hwbNz'><i id='5hwbNz'></i>
                
    
                
        
                
             		
              1. 首页
                2. 
		
              2. 装备资讯
                3. 
		
              3. 热点专题
                4. 
		
              4. 人物访谈
                5. 
		
              5. 政府采购
                6. 
		
              6. 产品库
                7. 
		
              7. 求购库
                8. 
		
              8. 企业库
                9. 
        
              9. 品牌排行
                10. 
        
              10. 院校库
                11. 
		
              11. 案例·技术
                12. 
		
              12. 会展信息
                13. 

            
                
        
                
    
                
    
                
        
                
            
            
                教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN105483617A
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明公开了一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步骤：第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜，然后在Si膜上沉积一层Mg膜；第二、退火工艺，沉积完成后的√样品置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备得到Mg2Si半导体薄膜。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人贵州大学;
                  • 
                        
                • 发明人谢泉;廖杨芳;肖清泉;梁枫;王善兰;吴宏仙;房迪;张晋敏;陈茜;谢晶;范梦慧;黄晋;章竞予;
                  • 
                        
                • 地址550025 贵州省ㄨ贵阳市贵州大学花溪北校区科技处
                  • 
                        
                • 申请号CN201511002465.1
                  • 
                        
                • 申请时间2015年12月29日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN105483617A
                  • 
                        
                • 申请公布时间2016年04月13日
                  • 
                        
                • 分类号C23C14/22(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;
                  •