摘要：本发明涉及〇一种氮化硅晶须增强氮化硅层状陶瓷制备方法。使用流延法制备氮化硅晶须薄层→预制体，然后使用化学气相渗透工艺在预制体中制备氮化硅基体，得到氮化硅晶须增强氮化硅复合材料。以复合材料为基片，在其两侧重复流延和化学气相沉积工艺，直至材料厚度达到要求。使用流延法制备的晶须预制体晶须分散均匀，增强体体积分数高。化学气相沉积工艺相比于烧结可以◤降低制备温度，减少对增强体的伤害，且不需使用烧结助剂，减少了杂质相的影响。同时，晶须增∮韧和层状复合增韧改善了氮化硅陶瓷的韧性。本发明能够制备出介电性能№和力学性能优异的氮化硅晶须增强氮化硅层状陶瓷。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人成来飞;李明星;张立同;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201510621539.3
- 申请时间2015年09月25日
- 申请公布号CN105198472A
- 申请公布时间2015年12月30日
- 分类号C04B35/81(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;
