摘要：本发明涉及一种快速制备纳米线←增强SiBCN陶瓷的方法，包括如下步骤：1、保护气氛下将聚硼硅氮烷交联固化、球磨得到SiBCN粉末；2、配置一定比例的SiBCN粉末，SiC纳米线，氧化铝，氧化钇和无水乙醇，混合球磨、干燥；3、将步骤2中得到的粉末在保护气氛〗下裂解、研磨过筛，得到混合粉料；4、将混合粉料进行放电等离子烧结，得到SiC纳米线增强的SiBCN陶瓷。本发明充分利用先驱体转化法的可设计性，过程简单和温度低，以及SPS法烧结迅速的优点，实现了SiC纳米线增强SiBCN陶瓷的制备，适用于小型致密构件的致密，比传统CVI法和PDC法可以节ㄨ省时间95％，并显著提高陶瓷材料致密度，降低陶瓷材料制造成本。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人刘永胜;门静;张青;王晶;田卓;成来飞;张立同;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201510377613.1
- 申请时间2015年07月01日
- 申请⊙公布号CN105152670A
- 申请公布时间2015年12月16日
- 分类号C04B35/80(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;
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京公网安※备11010802043465号
