摘要：本发明涉及电子设备预加热领域，公开了一种基于光MOS继电器的预加热控制装置，包括光MOS继电器、上拉电阻、下拉电阻及加热装置，其中，光MOS继电器输入侧包括LED二极管，输出侧包括MOSFET，MOSFET与加热装置设置在一个回路中，当MOSFET导通时，加热装置启动，上拉电阻的一端接LED二极管的正极，另一端接电源，下拉电阻的一端接LED二极管的负极，另一端接地，选取合适阻值的上拉电阻和下拉电阻使通过LED二极管的实际电流稍大于临界触发温度时的LED正向触发电流，本发明还公开了一种基于光MOS继电器的预加热控制方法。本发明的加热控制装置利用光MOS继电器的输入隔离耦合器件的电流随温度变化的特性进行光电开关控制，可以实现开机前预加热，体积小，成本低，灵敏度高。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京中电兴发科技有限公司;
- 发明人许金;任海富;
- 地址100095 北京市海淀区中关村环保科技示范园地锦路7号院5
- 申请号CN201410483655.9
- 申请时间2014年09月19日
- 申请公布号CN104317331A
- 申请公布时●间2015年01月28日
- 分类号G05D23/30(2006.01)I;
