摘要：本发明公开了一种高密度阴极等离子体源，包括有屏蔽罩，屏蔽罩中设有屏蔽筒，屏蔽筒中设有LaB6阴极、加热元件，屏蔽罩的后端设有安装基座，安装基座为水冷热沉结构，安装基座通过数个支撑杆固定在安装法兰的内壁上，安装法兰安装进气连接件作为进气口，安装法兰自外向内贯穿一个电连接件，电连接件的周围与安装法兰之间超高真空密封，电连接件的一端与加热元件连接，安装法兰外还设有一水冷电极，水冷电极通过安装法兰内的水冷接头与加热元件连接。本发明可为各种等离子体物理科研装置提供高密度等离子体源，应用广泛。
- 专利类型发明专利
- 申请人合肥聚能电物理高技术开发有限公司;
- 发明人李波;吴杰峰;罗广南;王海京;韦俊;宋春;
- 地址230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号中科院等离子体物理研究所研制中心1126信箱
- 申请号CN201310173444.0
- 申请时间2013年05月10日
- 申请公布号CN103298233B
- 申请』公布时间2016年03月02日
- 分类号H05H1/24(2006.01)I;
