摘要：本发明涉及一种低导磁磁芯以及制造方法和用途，所述低导磁磁芯由铁磁软磁合金制成，该合金的分子式为FeaMbCucSidBeM’fXg，其中M是Ni和/或Co，M’是元素V、Ti、Zr、Nb、Mo、Cr、Hf、Ta、W中的至少一种，X表示P、Ge、C以及杂质，以原子百分比为单位a、b、c、d、e、f、g满足以下条件：5≤b≤40；0.05≤c≤1；1≤d≤8；10≤e≤20；0.5≤f≤5；0≤g≤0.5；10≤d+e≤25；a=100-b-c-d-e-f-g；所述合金使用状态的微卐观结构为非晶态。本发明的磁芯具有低磁导率、高抗饱和性能的针对交流和直流分量具有高度可↙调制性的，线性的B-H回线，其磁导率在交流和直流时具有高的可调性。
- 专利类型发明专利
- 申请人安泰科技股份有限公司;
- 发明人卢志超;李准;王贤艳;冯硕;吴晓荣;李德仁;
- 地址100081 北京市海淀区学院南路76号
- 申请号CN201310191315.4
- 申请时间2013年05月22日
- 申请公布号CN103258612A
- 申请㊣ 公布时间2013年08月21日
- 分类号H01F1/147(2006.01)I;H01F27/26(2006.01)I;H01F27/25(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I;
