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                提高出光效率的LED芯片

                  摘要:本发明涉及一种提高出光效率的LED芯片,所述提高出光效率的LED芯片,包括衬底,所述衬底上设有N型氮化镓层,所述N型氮化※镓层上设有量子阱、P型氮化镓层及透明导电层,所述N型氮化镓层上设有N打线电极,所述N打线电极与N型氮化镓层电连接;所述透明导电层上设有P打线电极,所述P打线电极通过透明导电层与P型氮化镓层电连接;所述N打线电极下设有N电极反射电极层,所述N电极反射电极层与N型氮化镓层相接触;所述P打线←电极下方设有P电极反射电极层,所述P电极反射电极层位于透明【导电层下,P电极反射电极层通过透明导电层与P打线电极相隔离。本发明结构↓简单紧凑,提高出光效率,降低成本,操作方便,稳定可靠。
                • 专利类型发明专利
                • 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
                • 发明人柯志杰;邓群雄;黄慧诗;郭文平;
                • 地址214111 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号
                • 申请号CN201110382497.4
                • 申请时间2011年11月28日
                • 申〗请公布号CN102394267A
                • 申请公布时间2012年03月28日
                • 分类号H01L33/62(2010.01)I;