摘要：本发明公开了一种本底硅的测量方法，其步骤包括：进行零点⌒ 值测量，用倒加药得显色溶液，零点值的显色溶液的硅浓度为0，电压值V0；配制两种不同浓度〇的标准溶液，即标液1、标液2，溶液浓度分别为C1、C2；标液1、标液2分别作显色操作，再根据光电比色原理进行测量，并分别测量电压值V1、V2；经过计算，得出本底硅的浓度为X。用于测量的仪器为光度计，显色溶液中二氧化硅浓度♀越高，所测得的电压值越低。用此方法能够较精★准地测量出无硅水中本底硅『的浓度，精确了已知浓度二氧化硅的标准溶液的实际浓度，在二氧化硅浓度分析中对二氧化硅含量㊣测得的结果更为精确；且本方法操作简█单，精确度高。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京华科仪电力仪表研究所;
- 发明人陈云龙;
- 地址100085 北京市海淀区上地信←息路2号国际创业≡园2号楼2E
- 申请号CN200810115658.1
- 申请时间2008年06月26日
- 申请公布⊙号CN101403700B
- 申请公布时╱间2010年12月01日
- 分类号G01N21/78(2006.01)I;G01N21/27(2006.01)I;
