摘要：GaN基化合物半导体发光器件P型电极，由GaN基半导体层之上〇的导电金属半透明电极部分和表面粗糙光学透明晶体部分构成。其制法为：在GaN基半●导体层之上用电子束蒸发法蒸镀用于与P型GaN基半导体层间形成欧姆接触的金属层；而后在400℃～600℃的温度下在含氧的气氛ξ中退火，使金属变成与P型氮化物半导体材料层具有良好欧姆接触的半透明电极；继而在电极上用直接方式或者间接方式在20℃～600℃的温度下制备表面↘粗糙的透明晶体层。与现有技术相比，本发明除了具有良好透光率、低电阻率和与P型GaN间有●良好的欧姆接触的特点外，还具有可以提高器件的发光效率、大幅降低成本和工艺过程简单的特点。
- 专利类型发明专利
- 申请人大连路明科技集团有限公司;
- 发明人陈显峰;胡礼中;肖志国;
- 地址116025辽宁省大连市高新园区七贤岭高能街1号
- 申请号CN200610093382.2
- 申请时间2006年06月21日
- 申请公布号CN101093866A
- 申请公布时间2007年12月26日
- 分类号H01L33/00(2006.01);
