摘要：一种用碘化铅熔体生长单晶体的方法，是以经过提纯的碘化铅粉末为原料，在专用的安瓿中完成。依次〗包括清洁安瓿、装料并除气封瓿、生长与冷却四个工艺步骤。该方法能够抑制碘化铅熔体的分解与碘的蒸发，能够排除√分凝的铅。与该方法配套的专用安瓿用石英管制作，由封闭端呈“枣形”的籽晶袋(1)、生长室(2)、连通器(3)、铅液管(4)、装料管(5)、挂钩(6)构成◥组合体。装料后的安瓿放入两段温度区域垂直管式炉中，完＠成晶体生长过程。该方法制备的单晶体呈现♀均匀的桔红色半透明状态、应力小，尺寸可达Φ(15～20)×30毫米，刚生长出的单♀晶体的电阻率可达1012Ω·cm～1013Ω·cm，因而应用面广，特别适合于∮制作室温核辐射探测器。
- 专利类型发明专利
- 申请人西华大学;
- 发明人金应荣;朱兴华;贺毅;朱世富;赵北君;栾道成;
- 地址610039四川省成都市︼西郊西华大学科技处
- 申请号CN200610020393.8
- 申请时间2006年03月02日
- 申∮请公布号CN100408731C
- 申请公布时间2008年08月06日
- 分类号C30B11/00(2006.01);C30B29/12(2006.01);
