低阻型四探针检测仪/方阻仪/四探针电阻率检测仪 型号;DP-KDY-1仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法（2）范围：电阻率10-5～10+3欧姆·厘米，分辨率为10-5欧姆·厘米方块电阻10-4～10+4欧姆/□，最小分辨率为10-4欧姆/□（3）可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等可准↙确测量的半导体尺寸：直径≥20㎜可测量的半导体尺寸：直径≥8㎜（4）测量方式：平面测量。（5）电压表：双数字电压表，可同时观察电流、电压变化A.量程0~19.999 mVB.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)C.灵敏度：1uVD输入阻抗﹥1000MΩE 4 1/2位数字显示，0～19999（6）恒流源：A.电流输出：直流电流0.003～100 mA连续可调，有交流电源供给B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五档 C.恒流源精度：各档均≤±0.05%（7）四探针测试探头A.探头间距1.59㎜B.探针☉机械游率：±0.3%C.探针直径0.8㎜D.探针材料：碳化钨，探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。（8）测试架：（选配）手动测试架：KDJ-1A 型手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头↑可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。（9）精度电器精度：1-1000欧姆≤0.3 %整机测量精度：1-100欧姆·厘米≤3%（10）电流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W注：如果测金属粉末电阻率必把样品压成块或片才能⌒测