2005年安捷伦杯半导体制造技术论文比赛，经过两级评审（同行专家通讯评审和答辩会评议）已于10月21日结束，现将比赛结果向社会公布。自公布之日起进入15天异议期，在此期间有发现问题者，可以书面方式提出异议，我们为此开设了〖信箱：bsdpaper@cutech.edu.cn
异议期结束，我们将于11月下旬举行颁奖典礼。
大赛组委会
2005年10月27日
安捷伦杯 半导体制造技术论文比赛
一等奖
作者：Chen Yang, Litian Liu, Feng Liu, Tianling Ren, Albert Z. Wang, Haibo Long
题目：On-Chip Intergrated Inductor with Ferrite Thin-Film for RF Ics
单位：清华大学
二等奖
①作者：Wei Fan
题目：A Simple Approach to Convex Corner Compensation for KOH Anisotropic Etching on (100) Silicon Wafer
单位：北京大学
②作者：Min Xu, Hong-Liang Lu Shi-Jing Ding, Wei Zhang
题目：Spectroscopic and electrical properties of atomic layer deposition Al203 gate dielectric on surface pretreated Si substrate
单位：复旦大学
三等奖
①作者：Guangfu Hu, Zhenqiang Kong, Yong-Zai Lu
题目：Layered Lot Flow Balance Based Policies in Semiconductor Fabrications
单位：上海交通大学
②作者：Yingqi Jiang, Xiaohong Wang, Kewen Xie, Lingyan Zhong
题目：A Silicon-based Air-breathing Micro Direct Methanol Fuel Cell using MEMS technology
单位：清华大学
③作者：Jinshun Bi, Rong Yang, Junfeng Li
题目：SOI Integrated Technology for RFIC Applications
单位：中科院
④作者：Wei Huang
题目：Effect of a thin W, Pt, Mo and Zr interlayer on the thermal stability and electrical characteristics of NiSi film
单位：北京大学
⑤作者：Mei Yang Jing Chen
题目：A Microassembly platform for Modularly Merging MEMS and IC chips
单位：北京大学
⑥作者：Qi Xie, Xin-Ping Qu, Jing-Jing Tan, Yu-Long Jiang, Mi Zhou, Tao Chen,Guo-Ping Ru Bing-Zong Li
题目：Microstructure evolution of Ta/TaN bi-layer structure for copper metallization
单位：复旦大学
⑦作者：Zhou Qian Tan Jing
题目：Measurements and Modeling of Hole Mobility in Strained-Si PMOSFETs
单位：成都电子科技大学
攀登奖
①作者：Xianglin Su, Zhenyu Wu, Yu Jiang, Jiayou Wang, Yi Liu
题目：The structure and dielectric properties of fluorinated amorphous carbon films prepared by ECR-CVD
单位：西安电子科技大学
②作者：Chen Yang, Litian Liu, Feng Liu, Tianling Ren, Albert Z. Wang, Haibo Long
题目：On-Chip Integrated Inductor with Ferrite Thin-Film for RF ICs
单位：清华大学
③作者：Jing-jing Tan, Xin-ping Qu, Qi Xie
题目：Properties of Ruthenium as Diffusion Barrier in Seedless Interconnect Technology
单位：复旦大学
④作者：Junfeng Wu, Jinshun Bi, Duoli Li, Li jun Xue, Chaohe Hai
题目：Improved Hot Carrier Reliability for PDSOI nNOSFETs with Half-Channel Implantaion
单位：中科院
⑤作者：Qian Luo
题目：Investigation of Surface Charging Effects in AlGaN/GaN HEMT: Trapping Process Observed by a New Measurement Method
单位：成都电子科技大学
⑥作者：Xiao-Li Tang, Huai-Wu Zhang
题目：A novel spin-filter effect based on semiconductor/ferromagnetic-semiconductor structure
单位：成都电子科技大学
⑦作者：Yu Yang, Zhao Qian
题目： A Novel Low Power SRAM/SOI Cell Design
单位：西安交通大∴学
⑧作者：Rock Chen
题目：DRAM (Dynamic Random Access Memory) Leakage Path Analysis
单位：上海交通大学
⑨作者：Jian Zhang, Hui Guo, Yimen Zhang, Yuming Zhang, Jinxia Gao
题目：Investigation of Ni-based Ohmic Contacts to N-type SiC
单位：西安电子科技大学
