第三代半导体测试仪之数字源表认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表自主研发生产，对标美国2400，B2901；可实现“源”的输出和“表”的测量同步进行，提高测试效率；支持四象限工作，测量范围广，电压高300V，电流低至100pA；可进行自我限制，避免因过充而造成的对测试器件的损害；5寸触摸显示屏图形化操作，内置强大的功能软件，加速用户完成测试；支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网
第三代半导体测试仪特点：
多功能：可作源和负载，又能测；
G效率：满足多种测试需求；
可●编程控制：高精度可调，灵活控制；
IV扫描：快速、直观显示，一步操作。
应用领域：
分立半导体器件特性测试，电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量与效率特性测试，LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等
传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等
有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等
纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等
测试功能：
微电路 | ||
1 | 晶圆 | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
2 | 芯片 | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
器件 | ||
1 | 二极管 | 正向导通电压、正向电流、反向击穿电压、反向漏电流 |
2 | 三极管 | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
3 | MOSFET | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
4 | IGBT | L-IV测试，输出曲线、转移曲线 |
5 | 晶闸管 | 正向电压电流曲线、反向电※压电流曲线、触发特性 |
电池 | ||
1 | 锂电池 | IV测试，充放电扫描曲线 |
2 | 光伏电池 | IV测试，放电扫描曲线 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV测试、输入曲线、输出曲线 |
2 | 纳米线 | IV测试、输入曲线、输出曲线 |
S系列介绍：
特点：
1、5寸800*480触摸显示屏，全⊙图形化操作
2、内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV、PIV
3、源及测量的准确度为0.1%，分辨率5数位
4、四象限工作（源和肼），源及测量范围：电流100pA~1A，电压0.3mV~300V
5、丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
6、支持USB存储，一键导出测试报告
7、支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网
参数：
源限度 | 电压源: +30V (≤1A量程) , +300V (≤100mA量程) ; |
电流源 | 士1.05A(≤30V量程)，+105mA (≤300V量程) ; |
过量程 | 105%量程,源和测量; |
稳定负载电容 | <22nF ; |
宽带噪声(20MHz) | 2mVRMS(典型值)，<20mVVp-p(典型值); |
线缆保护电压 | 输出阻抗1K9 ,输出电压偏移<80uV ; |
Z大采样速率 | 1000采样点/秒; |
触发 | 支持IO触发输入及输出,触发极性可配置; |
输出接口 | 前后面板香蕉头插座输出,同- -时刻只能用前或者◤后面板接口; |
通信口 | RS-232、GPIB、 以太网; |
电源 | AC 100~ 240V 50/60Hz ; |
工作环境 | 25+10°C ; |
尺寸 | 106mm高x 255mm宽x 425mm长; |
重量 | 5Kg ; |
质保期 | 3年; |
国产优势
1、自主研发，符合大环境下国内技术自给的需求；
2、性价比高；
3、可及时与客户沟通，为客户提供高性价比系统解决方案。及时指导客ω户编程，加速测试系统开发。
