美国实验室新—代：真空紫外线光刻系统π2-CYGNIπ2-CYGNI真空紫外线光源带硬接触式防曝光附件
特点?新一代紫外线▓光源：172 nm?同类佳的输出强度?杰出的光束均匀度：可用光圈的3％?弧光灯寿命更长：曝光高达30,000次?瞬间启动?无需超净间，内置净化系统可使系统在大气环境中工作?无需有源冷却和外部冷却?绿色技术：无汞等有毒易燃气体和物质； 高电-光转换率(EVU只有0.02%)，节能省电；传统的UV处理会有上述问题?几分钟完成々光刻操作，维护简单，几乎无需培训
应用
?高分辨率光刻?光烧蚀?光解/光催化过程?表面能改性?臭氧产生?低损伤■原子级表面清洁?增强薄膜附着力高功率平面真空紫外线在光处理中呈现新的可能性革命性的□采用高功率弧光灯，具有出色的均匀性和多功能性，能且紧凑的模块化设计，都在172 nm的光源上实现。另外，创造性的引①入π2-CYGNI系列真☆空紫外线处理系统。172纳米全新处理系统传□ 统172 nm光源的低输出功率阻碍了该波长在研究和生产中的广泛应用。 π2-CYGNI 克服了这一障→碍，并展示了172 nm的真※正实力——全新化学驱动，反应方式↓和处理技术。 紫外线不仅仅用于光刻和固化！全新功率驱动紫外▲线弧光灯能提供高平均功率， 准分子紫外线源提供高光子通量。 π2-CYGNI 提供高平均功率和高光子通量- 无需『有源或外部冷却。 把高功率和高光子通量这种独特组合，封装在手掌大的盒子中，实现⌒ 其他光源无法完成的大面积反应和处理。全新弧光技术 每套 π2-CYGNI系统的核心是它超薄的（< 4mm）平面微腔放电灯。 与传统的弧光放电灯相比，这种广域照射产生了卓越的▼均匀性，同时又消除了对复杂聚光，准直和均化等光学器件的要求。紫外线更绿色环保在π2-CYGNI系统之前，产生紫外线通常意味着ㄨ产生有毒物质，低ζ 转换率和高设备成本。 π2-CYGNI 通过环保且节能的解决方案突破这些障碍。 π2-CYGNI 的制造和使用过程不使用有毒材料，在生产中『使用π-CYGNI 可以减少化◥学材料和水的消耗。 有效的降低使用成本，仅是使用其他172 nm光ぷ源成本的一小部分。
输出强度
>10 mW/cm2
透明孔径上的强度▓均匀性
< 3%
峰值输出波长
172 nm
半峰全宽(FWHM)
8.9 nm
光射面积
43 mm x 43 mm
预热时间（从0到95％）
< 2 s
直流输入电压
12 V
电源输入电压
110-220 V / 50-60 Hz
氮气/氩气流速*
0.5-1 SCFM
寿命
>5000 hours
功耗
< 25 W
传输环境：氮气，氩气，UV级熔「融石英∩，高真空π2-Cygni 系统参数
注意: 需要使用干氮气或氩气吹扫
真空紫外线光输出频谱
π-CYGNI 消除了对特定光刻胶化学物质的需求，由于光具有高能量（每光子7 .2eV），现在几乎可▅以将任有机聚合物用作光刻胶！π2-CYGNI 的172 nm波长可实现更高分辨率的成像，使用简单廉价的光刻胶可以消除传统DNQ光刻胶产生的碱废物。新型，新的可能性重新定位传统的光刻胶。 由于曝光机制的特性，不再需要光敏剂。 简而言之，π2-CYGNI 可以分︻解有机聚合物链，直到它们挥发和蒸→发。 此过程是通用的-几乎所有有机聚合物现在都可以用作光刻胶，即使是固体形态也可以。干/正/负处理-由您决定！由于有√机膜质量减少，在曝光期间产生图像，因此消除了对单独显影步骤的需要。 由此产生的高对比度足以用于其他过程，从而减少了处理时间并减少了●废物的生成。为了满︾足更苛刻的应用，可以在曝光后对有机聚合物进行进一步处理以提高分辨率。 但是，与传∏统光刻胶不同，色调（正或负）由显影液而不是敏化剂ξ决定。 除了减少质量和蒸发外，由于链长减少，在曝光过程中聚合物中也会Ψ 发生交联。 这种交联改变了聚合物在特定◤溶剂中的溶解度-醇基显影液产生正图像，而丙酮和类似溶剂产生负图像。无与伦比◥的单曝光分辨率波长越短=分辨率越高，与I 条 线光刻相比，π2-CYGNI 可以将分〓辨率提高5 0％。处理时间
材料
修改类型
深度
曝光时间
PMMA 光刻胶
光烧蚀
>200 nm
40 s
固体丙烯酸
光烧蚀
>350 nm
90 s
固体PDMS
玻璃化
-
30 s
应用示例：有机聚合物光←刻硅衬底上200 nm厚的PMMA光刻胶上通过【光掩模曝光40 s后的SEM图像。 顶部的数字表示光㊣刻宽度，单位为μm通过光掩模曝光90 s后丙烯酸片的光学显微照片。 顶部的数字表示光刻宽度，单位为μm
