产品用途：
此款CVD系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构≡的可控
生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结真空淬火退火，快速降温等工↘艺实验。
产品组成：
CVD系统配置：
1.1200度开启式真空管式炉（可选配多温区）。
2.滑动系统分为手动、电动滑动，并配有风冷系统。
3.多路质量流量控制系统
4.真空系统（可选配中●真空或高真空）
产品特点：
1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高∑，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权专利设△计,提高操作便捷性。
3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采●用高压强，耐冲击分子泵，防止意外漏气造成●分子泵损坏，延长系统使用寿命。
4 (电动)滑动系统采用温度控制器自动控制炉体移动，等程序々完成，炉体按设定的速度滑动，因有滑动限位功能炉体不会发生碰撞，待样↘品露出炉体后，通过◥风冷系统快速降温。
系统型号 | 1200℃滑动式三温区CVD系统 | |
系统型号 | CVD-12IIIH-3Z/G | CVD-12III9H-3Z/G |
最高温度 | 1200℃ | |
加热区长度 | 655mm | 940mm |
恒温区长度 | 500mm | 700mm |
温区 | 三温区 | 三温区 |
石英管管◥径 | Φ50/Φ60/Φ80mm | Φ80/Φ100/Φ120mm |
额定功率 | 4.8Kw | 7.2Kw |
额定电压 | 220V | 380V（三相） |
滑动距离 | 507mm | 650mm |
滑动方式 | 手动滑动/自动滑动(由温度控制器自动控制移动，当程序完成，炉子按设定的速度滑动） | |
温度控制 | 国产程序控温←系统50段程序控↘温； | |
控制精度 | ±1℃ | |
炉管最高工作温☆度 | ＜1200℃ | |
气路法兰 | 本实用新型在密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管》外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效，该密封法兰的安装只需在第一次使用设备的◢时候安装 | |
气体控★制方式 | 质量流量计 | |
气路数量 | 3路（可根据具体需要选配气路数量） | |
流量范围 | 0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定 | |
精度 | ±1%F.S | |
响应时间 | ≤4sec | |
工作温度 | 5-45℃ | |
工作压力 | 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力） | |
系统连接方式 | 采用KF快ξ速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪 | |
规格 | 中真空 | 高真空 |
系统真空范围 | 10Pa-100Pa | 1x10-3Pa-1x10-1Pa |
真空泵 | 双级机械泵理论极限♂真空度3x10-1Pa，抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器，额定电压220V，功率0.55Kw | 真空ζ 分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V功率2KW |
炉体外形尺寸 | 360×815×555mm | |
系统外形尺寸 | 530×1440×750mm | 530×1440×750mm(不含高真『空) |
系统总重量 | 255Kg | 355kg |
