产品用途：
此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试▂、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
产品组成：
此款CVD系统配置：
1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区〒、双温区）。
2.多路质量流量控制系统
3.真空系统（可选配中真空或高真空）
产品特点：
1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精∏度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2 气路快速连◆接法兰结构采用本公司独有的知识产权专利设计,提高操作便捷性。
3 中真空系︻统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵防止意外漏气造成＠分子泵损坏，延长系统使用寿命。
1200℃单温区CVD系统 | |
CVD-12I-3Z/G | |
1200℃ | |
420mm | |
210mm | |
单温区 | |
Φ50/Φ60/Φ80/Φ100mm | |
2.5Kw | |
220V | |
国产程序控温系√统50段程序控♀温； | |
±1℃ | |
＜1200℃ | |
密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技▃术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大♀的情况下密封仍然有效，该密封法兰的安装只需在第一次使用设备的时々候安装 | |
质量流量计 | |
3路（可根据具体需要选配气路数量） | |
0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定 | |
±1%F.S | |
≤4sec | |
5-45℃ | |
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力） | |
采用KF快速㊣连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪 | |
中真空 | |
10Pa-100Pa | |
双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa，抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器，额定电压220V，功率0.55Kw | |
340×580×555mm | 480×770×605mm |
530x1440x750mm | |
230kg | |
