产品用途：
此款CVD系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结，真空淬火退火，快速降温等工艺实验。
产品组成：
CVD系统配置：
1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）。
2.滑动系统分为手动、电动滑动，并配有风冷系统。
3.多路质量流量控制系统
4.真空系统（可选配中真空或高真空）
产品特点：
1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2 气路快速连接法兰结⊙构采用本公司独有的知识产权专利设计,提高操作便捷性。
3 中真空系＠统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。
4 (电动)滑动系统采用温度控制器自动控制炉体移动，等程＠ 序完成，炉体按设定的速度滑动，因有滑动限位功能，炉体不会发生碰◣撞，待样品露出炉体后，通过风冷系统快速降温。
5 双管真空密封法兰，反映气体可以在内外管之间发生反应，冷却气体可↘通过内管，从而使内管外壁温度降低。
系统名称 | 1200℃滑动式单温区CVD系统 |
系统型号 | CVD-12IH-3Z/G |
最高温度 | 1200℃ |
加热区长度 | 420mm |
恒温区长度 | 210mm |
温区 | 单温区 |
石英管管径 | Φ50/Φ60/Φ80/Φ100mm |
额定功率 | 2.5Kw |
额定电压 | 220V |
滑动距离 | 380mm |
滑动方式 | 手动滑动/自动滑动(由温度控制器自动控制移动，当№程序完成，炉子按设定的速度滑动） |
温度控制 | 国产▃程序控温系统50段程序控温； |
控制精度 | ±1℃ |
炉管最高工作温度 | ＜1200℃ |
气路法兰 | 密封ξ法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情♀况下密封仍然有效，该密封法兰的〖安装只需在第一次使用设备的时候安装 |
气体控制方式 | 质量流量计 |
气路数量 | 3路（可根据具体需『要选配气路数量） |
流量范围 | 0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定 |
精度 | ±1%F.S |
响应时间 | ≤4sec |
工作温度 | 5-45℃ |
工作压力 | 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力） |
系统连接方式 | 采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪 |
规格 | 中真空 |
系统真∮空范围 | 10Pa-100Pa |
真空泵 | 双级机械泵︼理论极限真空度3x10-1Pa，抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器，额定电压220V，功率0.55Kw |
炉体外形尺寸 | 340×580×555mm |
系统外形尺寸 | 530×1440×750mm |
系〓统总重量 | 230kg |
