? 该系◥统为球形脉冲激光淀积系统（PLD）工艺研发设备。脉冲激光沉积 （Pulsed laser deposition, PLD），就是将激光聚焦于靶材上一个较小的面积，利用ξ激光的高能量密度将部分靶材料蒸发甚至电离，使其能够脱离靶材而向基底运动，进而在基底上沉积，从而形成薄ㄨ膜的一种方式。 在众多的薄膜制备方法中，脉冲激光沉积技术的应用较为广泛，可用来制备金属、半导体、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各∏种物质薄膜，甚♂至还用来制备一些难以合成的材料膜，如金刚石、立方氮化物Ψ膜等。
产品名称 | 球形脉冲激光淀积系统（PLD） |
安装条件 | 1、环境温度：10℃～35℃ 2、相对湿度：不大于75% 3、供 水：水压0.2MPa～0.4MPa,水温15℃～25℃ 4、设备周围环境整洁，空气清洁，不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引↘起金属间导电的尘埃或气体存在。 |
技术参数 | 1、系统采用真空室为球形结构ぷ，手动前开门 2、真空室组件及╱配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造∑（304），氩弧焊接，表面采用喷】玻璃丸 电化学抛光「钝化处理配有可视观察窗口真空有效尺寸为SΦ300mm 3、极限真空度：≤6.67x10-5Pa (经烘烤除々气后，采用600L/S分子泵抽气，前级采用8L/S)；系统真空检＠ 漏漏率：≤5.0x10-8Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到8.0x10-4 Pa，40分钟可达到； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa 4、样品台：样品尺寸φ40mm，转速5-30RPM，基片台与转↑靶距离40～90mm 5、样品加热最高加热温度：800℃，温控精度：±1°C，采用控温表进行控╲温 6、四工位转靶：每个靶位φ40mm,挡板只露出一个靶位，激光束要求打在最上面靶□位，转靶具有∞公转、自转功能 7、真空室内设置烘烤、照明、水压报警装置 8、MFC一路质量流量计控制进气 ：0-100sccm |
