IGBT试验台系列
高温阻断试验台
阻断（或反偏）耐久性试验是在一定温度下，对半导体 器件施加阻断（或反偏）电压，按照规定的时间，从而对器件进 行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm ℃）和规定的 交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的 试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认是否通过， 同时获 取相关试验数据。
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC标准试验要求。可供半导◆体器件配以适当的温度可控装置， 作交流阻断（或反偏）耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反 偏耐久性试验、高温︾漏电流测试（HTIR）和老炼筛选。
系统组成
漏电流保护回路 试验电压保护回路
在每一试品试验回路中都配置有0.1A的保险丝，当试品∮在试验期内发 生劣化或突然击穿或转折，保险丝将熔断，设备面板上的相应工位的 氖灯点亮示警，同时蜂鸣器报警提示。
试验电压由衰减△板衰减取样后反馈到控制单元，通过峰保器输出与电 压设定值比较，当试验电压高于电压保护设定值时，过压报←警器响， 同时保护继电器动作切断高压输出。
高压回路
电特性参数测试回路 试验电压 试】品漏电流
由电源开关、控制继电器、自藕调压器、高压变压器、波↓形变换电路 组成，产生规定的试验电压并通过组合高压线排，接入试品工位。
由电压取样√回路，经采集、保持 电路送到设备的数字电压表显示；
对〓每一试品漏电流独立采样，通 过设备上的波段开关分别进行转 换，传送到数字电流表显示。
技术指标
试验电压 VDRM.VRRM/VRRM 300V ~ 4000V 连续可调， 50HZ工频 试验电流 IDRM.IRRM/IRRM 1.0 mA ~200.0mA
试验温度
温度范围：室温～150℃；温度均★匀性125℃±3℃； 温度波动度±0.5℃
试验工位 10工位 试验容量 80×16=1280位
加电方式
器件试验参数从器件库中导入，ATTM自动加电试验 方式，可单通道▲操作；老化电源可根据设定试验电压 和上电时间程控步进加ㄨ载
高压反偏试验台
技术指标
0.01mA～2mA 0.01mA~1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 测试条件： 反向电压：直流50～5000V ±3%±10V.
器件在特定温度下→存储一定时间后，先测试IR ，每只 器件依次进行测试，测试间隔々时间为约1S。然后同时 测试BVR，依次采集电流△。间隔时间为约100mS。
50V～5000V ±3%±10V。 测试条件： 反向电流：0.01mA～2mA；直流方波。 0.01mA~1mA±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。
静态参数测试 高压反偏测试
测试 参数 IR
测试 参数 BVR
测试 方法
试验电压： 50～5000V ±3%±10V 器件漏电流测试范围： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 测试时间：计算机设定 测试方法： 器件在特定▃温度下存储一定时间后，在设定电＠压下对每只器件同 时持续加反压『进行测试，每隔1-2秒刷新一遍输出的◇测试结果， 监控各器件反压下漏电流参数，并保々存测试数据。
功能指标
-50 ºC～140ºC ±1 -50℃～RT ≤±2℃(空载时) ≤±3℃(空载时) 不小于1～3℃/min（空载时） 220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地
试验高＠ 低温度范围 高低温箱温控精度 温度范围 温度波动 温度均匀 升温速率 供电电源
规格
尺 寸：1800×650×500（mm）
质 量：175kg
测试工位：20工位
工位转换：自动切换
耐温范围：-50ºC～140ºC
基础规格 设备
高压反偏试验 1套 PC 机 1台 控制软件 1套 温度箱 1台
正向寿命试验♀台
系统概述
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，
简称IGBT）作为功∩率开关器件，具有载流密度大、饱和压降低等
许多优点，
但是由▅于其长期工作在高电压、大电流、高频开关状态等且运
行环境复杂，IGBT功耗和结温频繁波动容易造╱成器件疲劳老化。目前国内外温度循环引起的器件失效机理已进行了深入研究，在此基№础上正积极发展功率模块寿命预测技术以提高变流器运行可靠性。
技术指标
测试参数 VF
0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V
测试条件 正向电流：1mA～60A 直流方波 脉宽 50uS-1mS 工位 20只
测试方法
器件在特定温度下存储一定时间后，在设定电流后 按规定施加条件对被试器件依次进行测试，测试间 隔时间约100mS
