产品简介
磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化▓镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等↘杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。
（110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时〓域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11THz。通常可探测◢的频谱宽度在0.1-6.5THz。
中文名：磷化镓
外文名：Gallium phosphide
分子式：GaP
分子量：100.6968
实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果∏
GaP晶体产品
|
GaP 基本规格(a)Description |
|
|
1 |
GaP (110), 10x10x4 mm,2 sides polished. |
|
2 |
GaP (110), 10x10x2 mm,2 sides polished.. |
|
3 |
GaP (110), 10x10x0.5 mm,2 sides polished.. |
|
4 |
GaP (110), 10x10x0.4 mm,2 sides polished.. |
|
5 |
GaP (110), 10x10x0.2 mm,2 sides polished.. |
|
6 |
GaP (110), 10x10x0.1 mm,2 sides polished.. |
(a)其他规格要求可以定制
