IC/5膜层控制仪
多用途的IC/5理想地适用于控制多源、多坩埚、多材料或多过程系统的膜层沉积速率和膜厚。IC/5可满足即使最复杂、最高要求与特殊应用的需要。它擅长于过程控制、逻辑功能、程序和膜层储存容量、过程数据管理，尤其是沉积速率与膜厚的控制。
全面的过程控制
IC/5具有宽广的功能，它可启动抽空过程、控制阀门、启用基片加热器等。这些增强的功能使系统无需配备辅助仪器，从而降低系统的复杂性和成本。IC/5的逻辑与控制功能包含100个可编程的逻辑状态；I/O和TTL继电器电路板提供多至24个继电器输出，28个TTL输入，14个TTL输出，20个计数和20个计时。逻辑状态可与外输入或输出联用。每个状态可包含多至5个功能，并用布尔逻ㄨ辑链接。IC/5可为源控〓制或图形记录仪输出提供6个可赋值的模拟输出、沉积速率、膜厚或沉积速率的偏离。
强力的过程处方和数据管理
IC/5膜层控制仪提供若干功能和选件，帮助用户高效地管理过程处方和数据：
丰富◆的机载储存 – 多至50个过程和250个膜层。允许即时进入您使用的过程数据和处方文件。这个进入性对包含许多膜层的复杂过程，对运行于多种工艺过程的镀膜系统，以及对研制或工艺发展等应用※尤其有价值。
磁盘驱动选件 – 用于无限制地储存过程数据和处方。离线编辑软件选¤件 – 用于在计算机（不是IC/5面板）上，键入或输入数据。用这个软件编程更卐为方便与有效，尤其对多层膜和多材料过程。数据记录 – 有关的过程信息（最终膜厚，平均沉积速♀率，运行次数，膜层数等）可用ASCII格式自动记录Ψ 入遥控通讯端口、打印机端口或磁盘中。采用磁盘驱◤动选件，IC/5可将数据保存于展开的格式中，使过程的数据储存与处理简易化。数据记录可方便地进行运行后分析与快速的校正作用。对于遵循ISO9000或QA认证⊙的生产，过程跟踪是必不可少的。
Auto Z – 用于多层材料的精密镀膜
IC/5自动确定Z比值的Auto Z技术，提高了镀层膜厚与≡沉积速率的控制精度，用户不再需要计算声阻（Z）比值3。当在晶体上沉积多种材料时，比值Z随材料在晶体上的比例而变化，因此，Z值的㊣变化是动态的。Auto Z连续修正过程进行中的Z比值。在单一晶体上沉积分层的或合金材料的过程中，为保持精确的膜层厚度和沉积速率，这个功能是尤其重要的。
3Auto Z – 美国专利号5,112,642
| In/MgF2镀膜的AUTO Z精度 AUTO Z大大地提高了多○层材料和膜层测量的膜厚精度。 |
AUTO TUNE – 用于快速设↓置
IC/5的Auto Tune功能免除了反复试探的步骤，节省了设置时间，它可快速地自动确定源的反馈控制闭环常数。Auto Tune选择若干控制算法中的最佳算法 – 包括三参数PID（正比，积分，微分）算法 – 达到对各种各∩样源的平稳控制。
多传感件测量 – 用于高重复性
对※某些光学镀膜和其它应用，重复性与均匀度是尤其重要的。IC/5控制仪可集成多至8个传感件的测量，将源的不均匀分布效应降至最小，并确保上一次与下一次镀膜运行之间的膜层沉积速率和最终膜厚良好的一致性。当基片在行星基片架上旋转时◣，IC/5从各个传感件的位置上同时收集数据，确保取得的信息代表当前源的分布。与单个传感件的控制仪比较，多传感件测量由于控制膜层的固定总合沉积速率、与源分布中的波动无关≡，大大地改善了膜厚的重复性。当源的分布模式改变时，IC/5适当地调整功率。尽管任何一个传感件上〇的沉积速率可有相当大的变化而总的沉积速率保持不变。沉积于每个基片上的材料总量受到精确→的控制；总的膜厚精度与单个传感件的控制仪相比可提高两至三倍。由于准确地探测源的耗损导致的特性变化，多传感件测量可帮助您：
预计何时需再添加源
确定电＠子枪的扫描、射程和高频率振动等参数的最佳设置值
配制更好的过程处方
因为所有传感件均链接至一台IC/5控制仪，对机柜的空间要求最小，其校正速度比老式的多控制仪/计算机组合结构要快三至五倍。
精确的共沉积＠
IC/5控制两种材料的同时镀膜。它包含一个编程的比值参数，在变化的沉积速率中控制合金的比率，还有一个交叉灵敏度（或串适）参数，自动补偿来自一个源的材料镀覆至用于控制另一个源的传感件上。Auto Z功能还对IC/5的共沉积有贡献，当不同材料混合在一个晶体上时保持膜厚的精度。
容易装入现有的装置中
