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品　　牌：MolTech

产品型号：1 (ZnGeP2)

适用范围：高教

所在地区：上海

详细说明

THz晶体MolTech(THz crystals)

品牌: 德国MolTech

关于德国Moltech公司：

德国Moltech公司位于柏林，专╱注于激光材料，激光介质，激光晶体，太赫兹晶体，法拉第隔离器的研发制作。Moltech公司的THz晶体广泛为中国的客户使用和好评→。

一、ZnGeP2晶体

特点和应用
ZnGeP2(磷镓银)单晶有着最大的光学非线性「系数和极高的激光损伤阈值，是用于中红外和太赫兹波段非常高效的非线性光学材料。ZGP晶体具有正双折射效应，因此它可以↙用于0.75-12μm波长范围的相位匹配频率转换。可以将1.06mm光与CO2激光混合，实现到近红外波段的上转换。

THz晶体MolTech(THz crystals)

透过范围(μm)

0.75 – 12.0

点群

42m

密度(g/cm3)

4.12

摩氏硬度

5.5

反射系数

　

2.00 μm

no = 3.1490; ne = 3.1889

4.00 μm

no = 3.1223; ne = 3.1608

6.00 μm

no = 3.1101; ne = 3.1480

8.00 μm

no = 3.0961; ne = 3.1350

10.00 μm

no = 3.0788; ne = 3.1183

12.00 μm

no = 3.0552; ne = 3.0949

非线性系∞数(pm/V)

d36 = 68.9(10.6μm处),d36 = 75.0(9.6μm处)

损伤阈值(MW/cm2)

60 (10.6μm,150ns)

二、GaSe晶体

特点和应用：

GaSe（硒化镓）具有非线性系数大，损伤阈值高和透过范围宽三重＠优势，是一种非常适合作中红外光二次谐波的非线性光学单↓晶。

GaSe可以用于CO2激光器的倍频，上转换CO和CO2激光射线到可见范ω围。

GaSe还可以≡用于太赫兹射线的产生

典型参数：

透过范围(μm)	0.62 – 20
点群	6m2
密度(g/cm3)	5.03
晶格参数	a = 3.74, c = 15.89 ?
摩氏硬度	2
反射系数
5.3 μm 处	no= 2.7233, ne= 2.3966
10.6 μm 处	no= 2.6975, ne= 2.3745
非线性系数(pm/V)	d22 = 54
离散角	4.1°(5.3 μm)
损伤阈值(MW/cm2)	28 (9.3 μm, 150 ns); 0.5 (10.6 μm, in CW mode); 30 (1.064 μm, 10 ns)

三、AgGaS2 ( AGS)晶体

透过范围(μm)

0.47 - 13

点群

4m2

密度(g/cm3)

5.03

晶格参数

a = 5.757, c = 10.311 ?

摩氏硬度

3.0 - 3.5

反射系数

　

5.3 μm

no = 2.4521; ne = 2.3990

3.0 μm

no = 2.4080; ne = 2.3545

5.3 μm

no = 2.3945; ne = 2.3408

10.6 μm

no = 2.3472; ne = 2.2934

12 μm

no = 2.3266; ne = 2.2716

10.6 μm 处

no= 2.6975, ne= 2.3745

非线性系数(pm/V)

d36 = 12.5

离散角

0.76° at 5.3 μm

四、KTiOPO4(KTP)晶体

KTP（磷酸钛氧钾）是一种优质的非线性晶体，它光学质◆量高，透过范围宽，二次谐波转换效率是KDP的三倍↑以上，损伤阈值高，离散角小。KTP是倍频Nd：YAG激光⌒器及其它掺钕激光器最合适也是应用最广泛的晶体。

应用：

l 1.064μm光的二倍频发生器

l 近红外波段』的光参振荡器

l 近红外波段的差频发∑　生器

五、THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn

产品介绍：其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带★半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直『接又具有发光能带间隙的物质△了。GaP还可用于制作发光二极管，它能︼够发出绿光。

InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能♀成为光电二极管的主流产品,应用于高◣速通讯设备，其传输速度能达到40Gbps。InP还∴有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。

参数：

材料	InP	InSb	InP: Fe	InP:Zn	GaP	GaAs:Te	GaAs:Zn	GaAs 多晶
阻抗, om.cm	0.03 - 0.2	-	1x10⁶- 2x10⁷	-	-	-	-	-
直径	-	-	1,011 - 1,2511	1,011 - 1,2511	-	12,511	1,511	-
轴向	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	-100	-	-
载流子浓度, cm^-3	(0.8 - 2.0) x 10¹⁵	(8 - 30) x 10¹³	-	(0.2 - 1.0) x 10¹⁸	(4 - 6) x 10¹⁶	2 x 10¹⁷	1.0 x 10¹⁹	2 x 10¹⁵
灵敏度, cm²/V.Sec	3500 - 4000	-	-	50 -70	-	4500	-	5200
生长技术	-	可参杂	-	-	可参杂	-	Cz	Bridjman

六、THz晶体-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS

介绍：第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1-xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线☆探测器,γ射线探测器的重■要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大，结构紧凑，室温操作等◆优点。而现在工业和医疗方面产用的高∑　纯Ge和Si的探测器，只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬ω　X射线和γ射线的一种关∑键技术。天文学方面用CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源。

材料

ZnS

CdS

ZnSe

Zn_xCd1_-xS

CdS

CdSe

CdS_xSe_1-x

CdTe

CdZnTe

ZnTe

生成方法

垂直布里奇曼生长◎法

PVT

melt

PVT

晶种气㊣　相法

直径，mm

厚度，mm

光学吸收at 10,6
nm, cm^-1

< 0.15

< 0.007

<0.0015

<0.005

0.01

5-10
x10-4

< 0.01

阻抗, Ohm x cm

105

5-50x10⁹

> 10⁵

1x10⁶

发光强度比，IEx/Iedge
(Iimp)

> 10

位错密度, cm^-2

< 2 x10⁵

< 5 x10⁵

2 x10⁵

< 2 x10⁵

< 2 x10⁴

5 x10⁴

1x 10⁴

小角↓边界密度, cm^-1

< 40

< 20

< 10

发光光谱的激发带波长, nm

490 ± 2

690 ± 2

444
± 2

475 ± 5

490
± 2

690
± 2

510 ± 5,
535 ± 10,
560 ± 10,
600 ± 5,
615
+5/-15,
505 ± 5,
625 ± 5

七、碲化锌晶体（ZnTe）

尺寸： 5 x 5 x 0.1 mm-20 x 20 x 10 mm各个尺寸

晶向：110

表面处理：抛光、镀膜、非镀膜

应用：THz探测、THz产生

主要型号及尺寸列表:

<110>Orientation SIZE
5 x 5 x 0.2 mm	10 x 10 x 0.2 mm		15 x 15 x 1 mm		20 x 20 x 0.5 mm
5 x 5 x 0.5 mm	10 x 10 x 0.5 mm		15 x 15 x 2 mm		20 x 20 x 0.8 mm
5 x 5 x 1mm	10 x 10 x 1 mm		15 x 15 x 3 mm		20 x 20 x 1 mm
5 x 5 x 2 mm	10 x 10 x 1.5 mm		15 x 15 x 4 mm		20 x 20 x 2 mm
5 x 5 x 3 mm	10 x 10 x 2 mm		15 x 15 x 5 mm
5 x 5 x 4 mm	10 x 10 x 3 mm
5 x 5 x 5 mm	10 x 10 x 4 mm
	10 x 10 x 5 mm
CHIPS - Are normally based upon ZnTe <100> Substrate @ 0.5 - 1 mm thickness onto which is optically glued ZnTe <110> top wafer.
<110> Front Face SIZE RANGE
<110> 300 - 500 um		<110> 100 - 200 um		<110> 40 - 90 um		<110> 20 um
5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm
10 x 10 mm		10 x 10 mm		10 x 10 mm		10 x 10 mm
<110> 10 um
5 x 5 mm
10 x 10 mm
Plano – Wedged SIZE RANGE
<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge
with 0.5 - 1.0 mm <100> substrate		with 2mm <100> substrate		with 4mm <100> substrate		with 6mm <100> substrate
5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm
10 x 10 mm

注: 还有多种型号可∞选,也可以为您量身定做,详细的技术指标请向我公司咨询.

透过范围(μm)	0.75 – 12.0
点群	42m
密度(g/cm3)	4.12
摩氏硬度	5.5
反射系数
2.00 μm	no = 3.1490; ne = 3.1889
4.00 μm	no = 3.1223; ne = 3.1608
6.00 μm	no = 3.1101; ne = 3.1480
8.00 μm	no = 3.0961; ne = 3.1350
10.00 μm	no = 3.0788; ne = 3.1183
12.00 μm	no = 3.0552; ne = 3.0949
非线性系∞数(pm/V)	d36 = 68.9(10.6μm处),d36 = 75.0(9.6μm处)
损伤阈值(MW/cm2)	60 (10.6μm,150ns)
损伤阈值(MW/cm2)	60 (10.6μm,150ns)

透过范围(μm)	0.47 - 13
点群	4m2
密度(g/cm3)	5.03
晶格参数	a = 5.757, c = 10.311 ?
摩氏硬度	3.0 - 3.5
反射系数
5.3 μm	no = 2.4521; ne = 2.3990
3.0 μm	no = 2.4080; ne = 2.3545
5.3 μm	no = 2.3945; ne = 2.3408
10.6 μm	no = 2.3472; ne = 2.2934
12 μm	no = 2.3266; ne = 2.2716
10.6 μm 处	no= 2.6975, ne= 2.3745
非线性系数(pm/V)	d36 = 12.5
离散角	0.76° at 5.3 μm

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