产品简介
1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV是专门为在金属箔表面生长薄膜而Ψ 设计的，特别是应用在新一代能源——柔性金属箔电极方面的研究。
主要特点
1、采用高纯氧化铝保温材料，保证了极好的温度均匀性。
2、内炉膛表面涂有美国进口氧化铝涂层，可以提高反射率和保护炉膛洁净度。
3、采用PID控制器 ，可以设置30段升降温程序。
4、金属箔缠绕在内管的外表面上发生CVD反应。
5、采用双管真空密封法兰，允许反应气体通过两管之间（10mm间隙）。
6、冷却气体直接通入内管。
7、配有带KF25快接和波纹管的高速机械泵。
8、炉底部装有滑轨，炉体可从一端滑向另一端，从而实现快速升█温和降温。为了获得较快的加热速度，可以先
将炉体预热，然后滑至放置样品处；为了获得较快的冷却速度，可将炉体滑至另一端，同时将冷气通入样品
所在处。
9、密封法兰系统采用不锈钢制作。
10、已通过CE认证。
技术参数
管式炉
1、电源：单相AC 208-240V 50/60Hz 2.5KW （20A保险丝）
2、石英管：外管外径Φ100mm，内径Φ96mm，长1400mm
内管外径Φ80mm，内径Φ75mm，长1400mm
3、加热元件：掺钼铁铬铝合金电阻丝（表面涂有氧化锆）
4、加热区域：440mm
5、恒温区域：120mm（±1℃在400-1100℃）
6、工作温度：最高1100℃，连续工作1000℃
7、最大∮升降温速率：20℃/min
8、控温精度：±1℃
9、真空度：10-2torr（机械泵），10-5torr（分子泵）
质量流量混气系统
1、质子流量计：4路精密质子流量计，数字显示，气体流量自动控制
MFC1范围0-100sccm，MFC2范围0-200sccm，MFC3范围0-200sccm，MFC1范围0-500sccm
2、流量精度：0.2%
3、气路：4路（每个气路都有一个独立的不锈钢针阀控制）
4、进出气口：1/4″卡套
5、混气罐：1个
产品规格
尺寸：管式炉550mm×380mm×520mm，移动架600mm×600mm×597mm
重量：135kg
可选配件
1、分子泵
2、双温区管式炉
3、铜箔（生长石墨烯150mm×150mm×25μm）
