一、实验简介

通过电流的导体放置磁场B之中，磁场B垂直于电流I的方向，则在导体▽中垂直于B和I的方向上便出现↘一个横向电势差VH，这个现象称为“霍耳效应”。横向电势差VH称为“霍耳电压”。霍耳效应对金属来说是不显著的，但对半导体来说却非常显著。利用霍耳效应的半导体称为霍耳元件，因其体积小，使用简便，测量准确度高，可测交直流磁场等优点，已广泛用于磁场测量。并配以其它装置，用于位置、位移、转速、角度等物理★测量和自动控制。

二、实验目的

1.了解霍耳效应的实验原理；

2.测量霍耳元件的灵敏度；

3.学会用〖霍耳元件测量磁感应强度的方法。

三、仪器配置与技术参数

由HL-A型霍耳效应实验装置和HL-CF型霍耳元件测试仪组成。

实验装置包括电磁铁（冷轧电工钢带制成○铁芯，气隙宽度约5mm，气隙中心位置磁感应强度不小于0.3T）、二维移动尺、霍耳元件（尺寸为4×2×0.2mm）、三个换向开关（很方便地改变I、B、VH的方向）。

测试仪包括0～10mA供给霍耳元件的工作电流恒流源▆，0～1000mA供给电磁铁的励磁电流恒流源，以及测量霍耳电╲压用的200mV数字毫伏表①。

四、实验装置示意图