1.1 半导体静态参数测试仪YB6500测试种类
YB6500半导体静态参数测试♂仪是专为测试半导体分立器件和大功率半导体模块器件而研发设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力,能够真实准确测试以下类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列:
1) 二极管 DIODE
2) 晶体管 TRANSISTOR(NPN型/PNP型)
3) 稳压(齐纳)二极管 ZENER
4) 结型场效应管 J-FET (N-沟/P-沟,耗尽型/增强型)
5) MOS场效应管 POWER MOSFET(N-沟/P-沟)
6) 三端稳压器 REGULATOR(正电压/负电压,固定/可变)
7) 光电耦合器 OPTO-COUPLER(NPN型/PNP型)
8) 可控硅◤整流器(普通晶■闸管) SCR
9) 双向可控硅 (双向晶ㄨ闸管) TRIAC
10) 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT(NPN型/PNP型)
11) 光电←逻辑器件 OPTO-LOGIC
12) 双向触发二极管 DIAC
13) 固态过压↓保护器 SSOVP
14) 光电开▲关管 OPTO-SWITCH
15) 硅触发开关 STS
16) 继电器 RELAY
17) 金属『氧化物压变电阻 MOV
18) 压变电阻 VARISTOR
19) 达林顿阵列 DARLINTON
1.2 半导体静态参数测试仪YB6500指标
主极参数
1、主极电压: 2000V,1000V(用户可选)
2、电〓压分辨率:1mV
3、主极电流:0---50A。可扩展到:100A,200A,400A,600A,800A,1000A,1250A。
4、电流分『辨率: 1nA 可扩展为1pA
5、测试精度:0.1%+2PLD
6、测试速度:0.5MS/参数
1.3 半导体静态参数测试仪参数配置
系统正常配置能提供的高阳▼极电压2000V,阳极电♀流为50A;
扩展电压和电流范围,可∮提供的选件有2000V阳极高压选件,250A/500A/750A/1000A/1250A阳极大电流选件。
电压分辨率:1mV;
电流分辨率:1nA
此外还可提供的小电流测试台选件,能够将漏电流测量分辨率从1nA扩展到10pA。
测试速度:0.5mS/参数(本系统采用填入式编程方法,专为国⊙内用户开发∩)
1.4 半导体静态参数测试仪接口
YB6500提供一个RS232接口,用于与主控PC机连接』进行数据传输。标准的RS232电缆也提供一个空的调制适配器,适配器必须同这根电缆线一起使@ 用。
1.5 半导体静态参数测试仪测试参数∏
漏电参数: IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、
IGESF、IGESR、IEBO、 IGSSF、 LGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数: BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、 VD、 BVCBO、、 VDRM、 VRRM、 VBB
BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ
BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数: hFE、CTR、gFS、VGSTH、VGETH
导通参数: VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)
VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、
VO(Regulator)、IIN(Regulator)
关断参数: VGSOFF
触发参数: IGT、VGT
保持参数: IH、IH+、IH-
锁定参数: IL、IL+、IL-
混合参数: rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数: IL
注:(1) 需要2KV阳极/集电︻极选件。
(2) 需要小电流测试台选件,可以提供需要的测试延迟时间◆为:1ms—99s。
(3) 需要80V低源栅/基极选件。
(4) 需要1.2KA大电流测试台选件。
(5) 允许△有电缆压降。