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                碳化硅比表面及孔径分析仪

                碳化硅比表面及孔径分析仪
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                • 碳化硅比表面及孔径分析仪
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                孔径分析仪
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                详细说明

                碳化硅比表面及孔径分析仪

                精微高博是碳化硅▓比表面及孔径分析仪最具权威的厂商,精微高博碳化硅比表面及孔径分析仪一并荣获中国计量院测试证书,ISO9001认证及CE认证并且还有独家的专利产品是通过国家级高新技术企业
                精微高博碳化硅比表面及孔径分析仪经国家级技术鉴定,控制精度和测试精度达到国际先进水平,已在国内普遍应用。

                碳化硅比表面及孔径分析仪功能
                比表面测定:    BET(单点、多点)比表面,Langmuir比表面,外表面测定;
                BJH孔径分布测定:    总孔体积、平均孔径、孔容/孔径的微分与积分分布;
                微孔常规分析:    微孔〓总孔体积、总内表面积(t-图、D&R、MP等)
                真密度测试

                碳化硅比表面及孔径分析仪技术参数
                碳化硅比表面及孔径分析仪原理方法:  低温◆氮吸附,静态容量法
                碳化硅比表面及孔径分析仪吸附气体:  高纯氮气,也可用氪、氦、二氧化碳等其他气※体
                碳化硅比表面及孔径分析仪极限真空:  4 - 6.7×10-2Pa ( 3- 5×10-4   Torr)
                碳化硅比表面及孔径分析仪氮气分压:  4×10-5 – 0.995
                碳化硅比表面及孔径分析仪控制精度:  测试压力点最小控制间隔可小于0.1 KPa (0.75  Torr) ,可测上千卐个点。
                碳化硅比表面及孔径分析仪测试范围:  比表面  ≥ 0.01 M2/g,无规定上限
                                         孔径  0.35 - 400 nm
                碳化硅比表面及孔径分析仪测试精度:  ≤±2%
                碳化硅比表面及Ψ 孔径分析仪测试效率:  多点BET比表面每◤样平均20min
                                         孔径分析时间随不同材质各异
                碳化硅比表面及孔径分析仪预 处 理:  两样品同位处理,温度50-400℃,±1℃
                碳化硅⊙比表面及孔径分析仪专用软件:  BET(单点、多点)、Langmuir、BJH、t-Plot、MP、D-R等


                碳化硅比表面及孔径分析仪特色
                    ◎  比表面仪具有业内唯一通过国家级技术鉴定产品,控制和测试精度达到国际先进水平;
                    ◎  比表面仪具有独有的抽气与充气速度精密控制技术,保证了测试的准确性和安全性;
                    ◎  比表面仪具有独特的多途径【液氮面控制与校正技术,连续测试10小时也不需添加液氮;
                    ◎  比表面仪具有有完善的标准等温线数据库和规○范的分析方法,微孔常规测试↓技术;
                    ◎  比表面仪具有专用软件功能齐全、界面友好、操作方便、实时显示样品吸、脱附压力变化及平衡过程;
                    ◎  比表面仪具有实验全程自动化、智能化控制,长时间运行完全可以无人职守;

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