碳化硅比表面及孔径分析仪
精微高博是碳化硅比表面及孔径分析仪最具权威的厂商,精微高博碳化硅比表面及孔径分析仪一并荣获中国计量院测试证书,ISO9001认证及CE认证并且还有独家的专利产品是通过国家级高新技术企业
精微高博碳化硅比表面及孔径分析仪经国家级技术鉴定，控制精度和测试精度达到国际先进水平，已在国内普遍应用。
产品简介：全新设计，外观可人，专业的多功能【介孔分析仪，人性化的选择，国内外热销产品！
静态容量→法碳化硅比表面及孔径分析仪，具有BET（单点、多点）、Langmuir、外表面、孔体积（孔容）、吸（脱）附等温线、BJH法吸（脱）附介孔大孔孔径分析╱等多种测试功能。采用进口高精度压力传感器（1000torr）及低温电磁阀∞控制；设有独立的P0管，可选择性对氮气饱和蒸汽压进行实时监测；具有外气室温度实时监测功能，独创的外气室体积ζ 精确测试功能；配备进口机械泵，真空度可高达】10-2Pa。具有2个样』品分析站（同时进行1个样品分析），均可同○位脱气处理，且两站可同时进々行脱气工作，可程序升温控制脱气速度，脱气温度最高可达400℃。全新的多功能软件操作系︽统，支持Windows 7/XP系统，超高速LAN口连接。该仪器同时具备真密度测试∮功能（专利技术），及密度输入■法比表面孔径测试功能，可供大家选择。
碳化硅比表面及孔径分析仪功能
比表面测定： BET（单点、多点）比表面，Langmuir比表面，外表□面测定¤；
BJH孔径分布测定： 总孔体积、平均孔径、孔容/孔径的微分与积分分布；
微孔常规分析： 微孔总孔◣体积、总内表面积（t-图、D&R、MP等）
真密度测试
碳化硅比表面及孔径分析仪技术参数
碳化硅比表面及╲孔径分析仪原理方法： 低温氮①吸附，静态容量法
碳化硅比表面及孔径分析仪吸附气体： 高纯氮气，也可用氪、氦、二氧化碳等其他气体
碳化硅№比表面及孔径分析仪极限真空： 4 - 6.7×10-2Pa ( 3- 5×10-4 Torr)
碳化硅比表面及↓孔径分析仪氮气分压： 4×10-5 – 0.995
碳化硅比表面及孔▲径分析仪控制精度： 测试压力点最小控制间隔可小于0.1 KPa (0.75 Torr) ,可测上千个卐点。
碳化硅比表面及孔径分析仪测试范围： 比表面 ≥ 0.01 M2/g，无※规定上限
孔径 0.35 - 400 nm
碳化硅比表面及孔径分析仪测试精度： ≤±2%
碳化硅比表面及孔径分析仪测试效率： 多点BET比表面每样平均20min
孔径分析时间随不同材↑质各异
碳化硅比表面及孔径分析仪预 处 理： 两样▓品同位处理，温度50-400℃，±1℃
碳化硅比表面及孔径分析仪专用软件： BET（单点、多点）、Langmuir、BJH、t-Plot、MP、D-R等
碳化硅比表面卐及孔径分析仪特色
◎ 比表面仪具有业内唯一通」过国家级技术鉴定产▽品，控制和测试精度达到国际先进水平；
◎ 比表面仪具有独有的抽气与充气速度精密◤控制技术，保证了测试的准确性ㄨ和安全性；
◎ 比表面仪具有独特的多途径液氮面控制与校正技术，连续测试10小⊙时也不需添加液氮；
◎ 比表面仪具有有完善的标准等温线数据□库和规范的分析方法，微孔常规测试技术；
◎ 比表面仪具有专用软件功能齐全、界面友好、操作方便、实时显示样品吸、脱▂附压力变化及平衡过程①；
◎ 比表面仪具有实验全程自动化、智能化控制，长时间运行完全可以无人职守；
