RTM660C无接触式硅片厚度电阻率测试系统
RTM660C采用高精度的厚度ㄨ及电阻率探头，配以强大的软件控制，可以用多种方式进行无接触式测量，使得测试过程◣变得十分高效。系统采用一体化设计，结构紧凑，安装方便。使用者在操作平台上转动硅片，测试数据可即时显示，并可对测试◤数据进行分析处理。高精度电容式厚度探头和电涡流式电阻率探头，保证测试结果精确且稳定。RTM660C可广泛使用于研究、生产及质检等场所，友好的人机交互界面，使用相当便捷。
技术参数
■ 硅片规格：
方片125x125mm、156x156mm
圆片3″、4″、5″、6″、8″
■ 测试功能
厚度：单点及多点厚度
TTV：总□ 厚度偏差
体电阻率：单点及多点体电阻率
■ 测试指标
厚度范围：150～1000μm
测量误差：≤±1.0μm
重复性：≤±0.20μm
TTV范围：0.00μm～200.00μm
测量误差：≤±0.50μm
重复性：≤±0.20μm
体电阻率范围▂：0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
测量误差：≤±3%
重复性：≤1.5%
■ 设备尺寸/重量：470mm(L)x420mm(W)x600mm(H)/20Kg
■ 测试环境要求：温度范围15～27℃
■ 湿度范围：35%～85%
■ 电源要求：220VAC,50Hz
■ 控制器：高性能主】机
