光谱椭偏仪
产品型号：SE400adv
简要描述：高性能椭偏仪，针对粗糙表面硅太阳ζ 能电池的测量装置，拥有业内最高测量精确度。
技术参数
■ 膜厚范围：0-30000nm
■ 折射指数：± 0.0001
■ 厚度准确度：± 0.01nm
■ 入射角度：20 - 90°
■ 波长范围：250-1100nm（深紫外、近红外、红外可选）
■ Psi=±0.01°，Delta=±0.02°
特点
■ 光谱范围：UV/VIS range 250 - 1100 nm，可选扩展光◇谱范围NIR (700 - 1700 nm) or (700 - 2100 nm)、UV-VIS 范围(190 - 1100 nm) ；
■ 自动旋转︽起偏器可精确测量任意偏振状态；
■ 步进扫描分析仪可高速采集低噪音信号；
■ 可变角度范围：from 10-90°，可升级为自动变角度10-90°控制 ；
■ 单层薄膜/多层薄膜快速薄膜厚度、折射率测量；
■ 专业测试软╲件可大范围Psi和Delta数据自动测量，并对测试数据进行采集和分析，内置几百种材料数据库；
■ 可扩』展二维自动扫描平台，实现(50X50mm, 100X100mm, 150X150mm or 200X200mm)Mapping测量功能以及3D分析；
