裸片及镀膜片 全光谱 反色率、色度、膜厚测量仪
型号: XH-LAB-RC
硅晶◇电池片表面制绒效果对电池片效率提高扮演着非常重要的角色。电池片的制绒减少了因为反射而丢失的光，并且对电池片的钝化效果也有很大的影响。另外⌒就制绒工艺本身来讲，硅片材料和硅片切割效果对其也有影响。因此，很有必要获得制绒效果的详细信息，从制绒后整理体反射率光谱的精确测量可以获得这些重要的信息。
XH-LAB-RC是一款很好的化学制绒工艺测量，分析和工艺优化的工具，同时也可以测量镀膜∏后硅片的膜厚和颜色。可进行双面x，y全自▲动测量；保证测量的精准◎度。
系统使用简单，无需操作人员具有专业的▃技能。因为系↓统有手动的单轴移动平台，所以能快速进行线性扫描。用户可以在移动的硅片上进行连续性测量，也可以测量硅片上的固々定点。系统可自动生成测试报告并存储数据。
测量原理
系统利用一个宽频谱的卤素灯作为光源，反射光被特别设ξ 计的积分球收集并探测，积分球通过光纤与一个高精☉度光谱仪连接。不管样品表面是绒面还是抛光面，所有的反射光和◇散射光都会被收集测量，整体光谱反射率的值及变动情况可以用来管控硅片的制绒工艺，同时可以测量出镀膜硅片的总的反射损失。通过⌒标准逻辑运算，可计算出在不同颜色空间的颜色值，如Lab，xyY颜色空间等。
薄膜∩的上表面和下表面反色光由于相位不同而发生干涉，干涉光谱的频率与膜厚是成正比的。这种现象用来计算硅◢片的膜厚。最好的计算方法是通过拟★合测量光谱和薄膜理论光谱，使其吻合，计算出薄膜的实∞际厚度。
系统特点
■ 全♀波段整体反射率测量
■ 任意波段最小反射率及对应波长测量
■ 自定义单→一波长反射率测量
■ 任意波段平♀均反射率测量
■ 镀膜膜层厚度测量
■ 色度计算
■ 集成参考校正片
■ 用Ψ户自定门限设置
■ Goog/Bad指示
■ 手动单轴测试台
■ 手动全硅片Mapping
■ 测量速度快↙, <0.8s /点
■ 可以提供第三方认证标片(选项)
■ 裸片和镀膜片的测量:
-离线
-非接触式
-静态单点测量
■ 测量参数:
-反射率: r(全光谱)
-色度: c(Lab, xyY , ...)
-膜厚 r(镀膜片)
■ 应用范围:
-多晶(抛光、粗糙、绒化)
-单晶(抛光、粗糙、绒化)
-125mm×125mm / 156mm×156mm
■ 应用在所有向光「制绒工艺
-化学蚀刻(酸/碱)
-RIE(离子反应蚀刻)
■ 操作简单
-只需点击测◣量按钮，即出测量结果
-手动单轴移动测试台，可全硅片Mapping
-线性扫描简单
技术参数
■ 测量参数: 反射率/膜厚/色度
■ 反射ω率范围: 0-100%
■ 波长范围: 380-1070nm
■ siN膜厚: 25-120nm
■ siO膜厚: 35-169nm
■ 反射率精度: ±0.1%
■ 反射率重复性: <0.05%
■ 膜厚精度:±1nm
■ 膜厚重复性∞: ±0.2nm
■ 色度表达: Lab/xyY/XYZ/Lch
■ 色度精度: x,y 3 σ±0.004/Y3σ±0.5
■ 色度重★复性:x,y 3 σ<0.002/Y3σ<0.2
■ 测量光斑: ~8mm
■ 测量速度: 0.8s/点
■ 硅片尺寸: 156mm×156mm/ 125mm×125mm/ 圆形或更小
■ 样品台: 310*160mm
■ 环境温度: 15-35℃
■ 湿度: <90%
■ 电源: AC100-240;50/60Hz
■ PC要求: WindowXP, 2GB RAM, >100GB HDD
硅片 镀膜后 印刷
