配置两种波长的红外光源
■ 1.07μm波长红外光源，光穿》透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
■ 0.904～0.905μm波◢长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较ζ强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。
测量范围
■ 研∞磨或切割面：电阻率≥0.5Ω·㎝的单晶硅棒、定向结晶多★晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
■ 抛光面：电阻率在0.1～0.01Ω·㎝范〓围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
寿命可测范围
■ 分体式： 2μS—10ms
■ 一体式： 0.5μS—20ms
