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                低电容瞬态电压抑制器二极管阵〖列、

                低⊙电容瞬态电压抑制器二极管阵列▼、
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                详细说明

                低电容瞬态电压抑制器二极管阵列、RClamp 系列

                Semtech 系列 RailClamp™ 瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电【子元件。 由于其紧凑型封装,RailClamp® 瞬态电压抑制器二极管特☉别适用于如下应用:手机、LCD、USB 2.0/OTG、MMC 接口、SD 卡接口、MDDI 端口、SIM 端口、键盘和千兆位以太网。

                CDSOD323-T05CTVS二极管, AEC-Q119, CDSOD323系列, 双向, 5 V, 18.3 V, SOD-323, 2 引脚

                产品范围:CDSOD323系列

                TVS极性:双向反向︽关态电压 Vrwm:5V

                钳位电压 最大:18.3V

                二极管封装类型:SOD-323

                针脚数:2引脚

                击穿电压最小值:6V

                击穿电压最大¤值:6V

                峰值脉冲功率耗散:350W

                CDSOD323-T03 CDSOD323-T03C

                CDSOD323-T05 CDSOD323-T05C

                CDSOD323-T08 CDSOD323-T08C

                CDSOD323-T12 CDSOD323-T12C

                CDSOD323-T15 CDSOD323-T15C

                CDSOD323-T18 CDSOD323-T18C

                CDSOD323-T24 CDSOD323-T24C

                  PSM712-LF-T7SM712

                RS485通信保护器▆件

                SM712的参数:

                   封装:SOT-23

                   电压:7V/12V

                   钳位电压:10V/20V

                   容值:55pF-75PF

                   功率:600W

                  

                SM712的特性:

                   1、依据(tp=8/20μs)线路,峰值脉冲功率为400W

                   2、保护两个+12V至-7V线路

                   3、低钳位电压

                   4、符合RoHS

                   5、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触)

                   6、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)

                   7、IEC61000-4-5(Lightning)12A(8/20μs)

                  

                SM712的产品①应用:

                   1、对扩展共模范围的RS-485收发№器的保护

                   2、安全系统

                   3、自动取款机

                   4、HFC系统

                   5、网络

                SD05,SD05C系列450W分散式

                单/双向瞬态抑制二极管

                SD05CSD12C SD15C SD24C

                SD03SD05 SD12 SD15 SD24SD36

                SD系列450W分散式※单向瞬态抑制二极管旨在抵御破坏性静电放电(ESD)和由雷击导致的浪□涌电流 此类快熔型瞬态抑制二极管是更换低速和DC应用中0805号多层压敏电阻(MLV)的理想选择,因为其可在±30kV的条件下安◤全吸收反复性ESD震击而不会对性能造成不利影响,并可安全地耗散高达30A的浪涌电流。 相比竞争技术,其低动态电阻可使箝位电压最高降①低50%。

                低电容瞬态电压抑制器二极管阵列、

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