摘要：本实用新型提供基于等式约束的辅助电容集中式半╳桥/单箝位混联MMC自均压拓扑。半桥/单箝位混联MMC自均←压拓扑中，半桥/单箝位混联MMC模◣型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于等式约束的辅助电容集▼中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/单箝位混联MMC拓扑。在不强调两★种拓扑差异的情况下，辅助开关中的6K个机械开关可以省略。该半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，可以№箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，此外ξ可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调♂制。
- 专利类型实用新型
- 申请人华北电力大学;
- 发明人赵成勇;许建中;刘航;
- 地址102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
- 申请号CN201620068862.2
- 申请时间2016年01月25日
- 申请公布号CN205960952U
- 申请公『布时间2017年02月15日
- 分类号H02M3/156(2006.01)I;H02J1/00(2006.01)I;
