摘要：本实用新型提供一种上电时序电路，包括：第一电源模块、第二电源模块、P通道的第一█MOS场效应管、半导体压降模块和延时电路，半导体压降模块产生的导通压降大于第一阈值√小于第二阈值；第一电源模块的第一端分别与第一MOS场效应管的源极和延时电路的第一端连接，第一电源模块的第二端与芯片的第一电压输入引脚连接；延时电路的第一端与所述第一MOS场ξ效应管的源极连接，延时电路的第二端与所述第一MOS场效应管的栅◎极连接；所述第一MOS场效应管的』漏极通过所述半导体压降模块与所述第二电源模块的第一端连接，所述第〓二电源模块的第二端连接所述芯片的第二电压输入引脚。该电路能够满足芯片的压差↘规格要求，保证了计算机的稳定运∏行。
- 专利类型实用新型
- 申请人龙芯中科技术有限公司;
- 发明人黄美红;钱天柱;梁锐;肖朋晓;
- 地址100095 北京市海淀区中关村环保科㊣ 技示范园龙芯产业园2号楼
- 申请号CN201520537071.5
- 申请时间2015年07月22日
- 申请公布号CN204808193U
- 申请公●布时间2015年11月25日
- 分类号G06F1/26(2006.01)I;
