摘要：本实用新型公开了一种欠压锁存电路。该电路的肖特基势垒二极管的阳极接地，阴极接▼第一PMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极并通过RC电路接电压源；欠压锁存电压信号输出端接第二PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极、第三POS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的栅极；第一PMOS晶体管的源极接电压源，漏极接第二PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的源极；第二NMOS晶体管的源极接地，漏极接第一NMOS晶体管的源极和第三NMOS晶体管的源极；第三PMOS晶体〖管的漏极接地；第三NMOS晶体管的漏极接电压源。结构简单，节省成本，功耗低。
- 专利类型实用新型
- 申请人郑州单点科技软件有限公司;
- 发明人王晓娟;王纪云;周晓东;
- 地址450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室
- 申请号CN201220485348.0
- 申请时间2012年09月21日
- 申请公布号CN202798616U
- 申请公布时间2013年03月13日
- 分类号H03K3/013(2006.01)I;
