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                一种大功率MOSFET驱动器

                  摘要:本实用新型涉及一种大功率MOSFET驱动器,TTL式的MOSFET驱动信号,光电隔离器U1的输入单元,输入到比较器U2的负端,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再▲驱动大功率MOSFET,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路,本实用新型具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工▓作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭∩环场合,更能发挥其控制优势。
                • 专利类型实用新型
                • 申请人哈尔滨智木科技有限公司;
                • 发明人淡博;李金录;
                • 地址150076 黑龙江省哈尔滨市道里区康安二道街6号
                • 申请号CN201120504305.8
                • 申请时间2011年12月07日
                • 申ζ请公布号CN202503492U
                • 申请公布时间2012年10月24日
                • 分类号H03K17/78(2006.01)I;