摘要：本实用新型涉及一种↓同轴扬声器磁路以及包括该磁路的同轴扬声器。本实用新型通过采用了双磁路ζ气隙的磁路结构，将同轴扬声器的功率加载在两只音圈上，显著提高了同轴扬声器的功率承受能力；相应地，单只音圈的直径较小，质量较轻，提高了同轴扬声器的灵敏度；由于两只音圈分别与同轴扬声器的低音纸盆和球顶音膜相连接，增强了纸盆整体的刚性。
- 专利类型实用新型
- 申请人北京七九七华音电子有限责任公司;
- 发明人朱波;王璟;
- 地址101500 北京市⊙密云工业开发区科技路71号
- 申请号CN200920246398.1
- 申请时间2009年10月26日
- 申请公布号CN201594910U
- 申请公布时间2010年09月29日
- 分类号H04R9/02(2006.01)I;H04R9/06(2006.01)I;
