摘要：本发明公开了一种推挽MOS管电压尖峰抑制电路，包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单☆元，推挽升压功率单元包括第十MOS管至第十四★MOS管和推挽变压器，第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与推挽变压器的初级线圈的一端连〓接，第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与功率MOS管驱动单元的一个输出端连接，LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容，推挽控制单元包括主控芯片，主控芯片的第十三引脚和第十五引脚均连接12V电源。本发明能消除漏感引起的电压尖峰、提高逆变器≡的整体性能、减小损耗、提高整机效率、降低㊣逆变器整体成本、使电路的EMC效果更好。
- 专利类型发明专利
- 申请人苏州迈力电器有限公司;
- 发明人朱海东;
- 地址215151 江苏省苏州市高新区浒关分区建林路666号
- 申请号CN201610780667.7
- 申请时间2016年08月31日
- 申№请公布号CN106329900A
- 申请公布时间2017年01月11日
- 分类号H02M1/32(2007.01)I;H02M1/44(2007.01)I;H02M7/538(2007.01)I;
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