亚洲彩票

  • <tr id='BGYlrf'><strong id='BGYlrf'></strong><small id='BGYlrf'></small><button id='BGYlrf'></button><li id='BGYlrf'><noscript id='BGYlrf'><big id='BGYlrf'></big><dt id='BGYlrf'></dt></noscript></li></tr><ol id='BGYlrf'><option id='BGYlrf'><table id='BGYlrf'><blockquote id='BGYlrf'><tbody id='BGYlrf'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='BGYlrf'></u><kbd id='BGYlrf'><kbd id='BGYlrf'></kbd></kbd>

    <code id='BGYlrf'><strong id='BGYlrf'></strong></code>

    <fieldset id='BGYlrf'></fieldset>
          <span id='BGYlrf'></span>

              <ins id='BGYlrf'></ins>
              <acronym id='BGYlrf'><em id='BGYlrf'></em><td id='BGYlrf'><div id='BGYlrf'></div></td></acronym><address id='BGYlrf'><big id='BGYlrf'><big id='BGYlrf'></big><legend id='BGYlrf'></legend></big></address>

              <i id='BGYlrf'><div id='BGYlrf'><ins id='BGYlrf'></ins></div></i>
              <i id='BGYlrf'></i>
            1. <dl id='BGYlrf'></dl>
              1. <blockquote id='BGYlrf'><q id='BGYlrf'><noscript id='BGYlrf'></noscript><dt id='BGYlrf'></dt></q></blockquote><noframes id='BGYlrf'><i id='BGYlrf'></i>
              2. 首页
              3. 装备资讯
              4. 热点专题
              5. 人物访谈
              6. 政府采购
              7. 产品库
              8. 求购库
              9. 企业库
              10. 品牌排行
              11. 院校库
              12. 案例·技术
              13. 会展信息
              14. 教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN105914383A

                一种有效地改善全氟磺酸膜离子电导率的方法

                  摘要:本发明采用在全氟磺酸膜(Nafion)中参杂磺化石墨烯(SGO)的方法,制备成SGO/Nafion复合膜,改善Nafion膜的离子电导率。本发明合成的SGO的加入对SGO/Nafion复合膜的吸水率,溶胀度以及离子电导率有明显的提高。吸水率从纯Nafion膜的30%增加到复合膜的89%,溶胀度从纯Nafion膜的75%增加到复合膜的142%,纯的Nafion膜的离子电导率为57.89Ms·cm?1,随着SGO含量的增︼加,复合膜的离子电导率逐渐增加,最高的Nafion?8%?SGO复合膜的离子电导率125.70Ms·cm?1,超过纯Nafion膜2倍多。
                • 专利类型发明专利
                • 申请人宁波拓谱生物科技有限公司;
                • 发明人郑洁;刘望才;蒋仲庆;王珊;
                • 地址315000 浙江省宁波市江北区长兴路158号7幢316室
                • 申请号CN201610330517.6
                • 申请时间2016年05月18日
                • 申请公布号CN105914383A
                • 申请公布时间2016年08月31日
                • 分类号H01M8/02(2016.01)I;H01M2/16(2006.01)I;