摘要：本发明公开了一种BOOST升压电路主功率MOSFET的过载保护装置，对主功率MOSFET的导通压降进行采样，并将预定的参考电压作为门限，根据导通压降是否超过参考电压来判断主功率MOSFET是否过载，并在过载时，关断主功ぷ率MOSFET驱动控制电路的输出，进而使得主功率MOSFET停止工作，达到过载保护的目的∴。
- 专利类型发明专利
- 申请人广东威创视讯科技股份有限公司;
- 发明人帅孟奇;
- 地址510670 广东省广州市广州高新技术产业开发区科珠路233号
- 申请号CN201410631723.1
- 申请时间2014年11月10日
- 申请公布卐号CN104362592A
- 申请公布时间2015年02月18日
- 分类号H02H7/10(2006.01)I;
