摘要：本发明涉及一种超薄碳化硅材料的制备方法，将硅源与碳源相距0?100cm放置于反应炉管内；以1℃/min?300℃/min的速率升温㊣至600℃－2300℃，反应炉管抽至真空度为10?5?105Pa，在保护气氛下反应1?2880min；然后以1℃/min?500℃/min的速率冷却至室温，得到超薄碳化硅材料。本发明制备工艺简单，制得的超薄碳化硅（5纳米厚度以下）是一种具有宽禁带并且能够稳定存在的二维材料，它的诞生克服了石♀墨烯没有禁带和单层二硫化钼不能稳定存在的缺点。可广泛用于量子光源、光电、半导体原型器件、微电∮子电路、射频器件、集成电路、光催化、海水淡化、纳米能源、复合材料等技术领域。
- 专利类型发明专利
- 申请人浙江大学;
- 发明人林时胜;章盛娇;李晓强;吴志乾;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖区浙№大路38号
- 申请号CN201410511422.5
- 申请时间2014年09月29日
- 申请公布号CN104291339B
- 申请公布时间2016年08月17日
- 分类号C01B31/36(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
