摘要：本发明属于发光二极管器件制备技术领域，特别涉及一种基于反︽向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。本发明半导体量子点发光二极管依次包括层叠¤的衬底、透明导电金属氧化物电极层、电︼子注入层、量子点发光层、空穴注入层和对电极层，其中涉及的电子注入层采∩用乙酰丙酮钛膜材料。可采用旋涂等溶液加工的方法制备电子注入层，将乙酰丙酮钛引入反向结构量子点发光二极管器件制备中，实现了电∞子的有效注入；并且与传统的正向结构和溶胶凝胶法制备的二氧化钛、氧化锌相比，本发明具有发光颜∏色纯、制备工艺简单，成本低廉，实验重复性和稳定性好、适合于大规模工业化生产↙等特点。
- 专利类型发明专利
- 申请人华北电力大学;
- 发明人谭占鳌;孙刚;屠逍鹤;侯旭亮;
- 地址102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号
- 申请号CN201410206672.8
- 申请时间2014年05月15日
- 申请公布「号CN103972416A
- 申请公布时间2014年08月06日
- 分类号H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;
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京公网安■备11010802043465号
