摘要：本发明公开△了一种用于半导体制造的氧化炉保温桶及氧化方法，该保温桶包括底座、固定于底座上的限位柱、至少一片鳍片，该鳍片被限位柱阻挡以防止掉落【并平行层叠于底座上，该鳍片之间具有一间隙。本发明的保温桶具有可拆卸式的一片或多片鳍片，通过支柱安装在保温桶的底座上，根据不同湿氧工艺温度需求来调整鳍片的数量，能有效防止低工艺温度时水蒸汽形成的水珠对工艺和器件▓产生的不良影响，同时避免高工艺温度对工艺门密封部件造成的损①伤。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人林伟华;兰天;宋辰龙;王兵;
- 地址100016 北京市朝阳ω 区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410117707.0
- 申请时间2014年03月27日
- 申请公布♂号CN103871940A
- 申请公◎布时间2014年06月18日
- 分类号H01L21/673(2006.01)I;
