摘要：本发明公开了一种高方阻铝膜，包括基膜、加厚区、渐变方阻区，所述加厚区和所⌒ 述渐变方阻区均为位于所述基膜上方的金属蒸镀层，且所述加厚区位于所述基ξ膜的一侧，所述渐变方阻区位于所述基膜的另一侧和所述加厚区之间，且所述渐变方阻区的厚度自所述加厚区连接处向所述基膜的另一侧逐渐降低。所述加厚区降◥低了薄膜电容器的喷金层和芯子的接触电阻，能承受比较Ψ 大的电流。所述渐变方阻区使其方块电阻出现从小到大的变化「，并与电容器的电流密度分布相适应，提高电容器的耐压强度。
- 专利类型发明专利
- 申请人安徽赛福电子有限公司;
- 发明人许明建;周峰;
- 地址244000 安徽省铜陵市狮子山区栖凤路1771号
- 申请号CN201310400393.0
- 申请时间2013年09月06日
- 申请公布号CN103456492A
- 申请公布时间2013年12月18日
- 分类号H01G4/005(2006.01)I;
