摘要：本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上，沉积多晶硅薄膜，采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底，制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底，将多晶体硅薄膜从衬底上分离，可重复利用优质衬底；大大降低了太阳电池制备成本，优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散，衬底与薄膜的不匹配，薄膜中高缺陷密度等缺点，可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力，多晶硅薄膜的质量也将提高。
- 专利类型发明专利
- 申请人华北电力大学;
- 发明人陈诺夫;辛雅焜;何海洋;吴强;弭辙;白一鸣;高征;
- 地址102206 北京市昌平区回龙观朱辛庄2号
- 申请号CN201310342034.4
- 申请时间2013年08月07日
- 申请公布号CN103426976B
- 申请公布时间2015年12月23日
- 分类号H01L31/20(2006.01)I;
