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                奥氏体】金属低温超饱和气体渗碳表面ξ 强化试验装置

                  摘要:本发明涉及一种试验装置,尤其涉及一种针对奥氏体金█属低温超饱和气体渗碳表面强化试验装置,包括渗碳㊣前奥氏体金属的表面活化预处理以及低温气体渗碳处理。该装置由支撑平台、温度测定和控制系统、密封系统、多气氛混合系统和真空系统组成。本发明针对奥氏体金属多气氛低温超饱和气体渗碳表面强化技术,提供了一种温度场均匀、精度高、操作简便、成本低,并且能够实现连续、均匀渗碳的试验装置。
                • 专利类型发明专利
                • 申请人南京工业大学;
                • 发明人荣冬松;巩建鸣;姜勇;耿鲁阳;
                • 地址211816 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号
                • 申请号CN201310220300.6
                • 申请时间2013年05月31日
                • 申请公布号CN103323355A
                • 申请公布时间2013年09月25日
                • 分类号G01N3/40(2006.01)I;G01N5/02(2006.01)I;G01N21/84(2006.01)I;